- Модель
- GA35XCP12-247
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Корпус TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Td (включено/выключено) @ 25°C -
- Заряд затвора 50 nC
- IGBT Тип PT
- Время обратного восстановления (trr) 36 ns
- Поставщик Устройство Корпус TO-247AB
- Ток коллектора импульсный (Icm) 35 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 35A
- Энергия переключения 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
- Условия испытания 800V, 35A, 22Ohm, 15V
