- Модель
- GB100XCP12-227
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Конфигурация Single
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Поставщик Устройство Корпус SOT-227
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- IGBT Тип PT
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 100 A
- Корпус SOT-227-4
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A
- Входная емкость (Cies) при Vce 8.55 nF @ 25 V
