- Модель
- GT10J312(Q)
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Поставщик Устройство Корпус -
- Время обратного восстановления (trr) 200 ns
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- IGBT Тип -
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- 输入类型 Standard
- Мощность - Максимальная 60 W
- Энергия переключения -
- Корпус TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 10 A
- Ток коллектора импульсный (Icm) 20 A
- Td (включено/выключено) @ 25°C 400ns/400ns
- Условия испытания 300V, 10A, 100Ohm, 15V
