- Модель
- GT15J341,S4X
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- IGBT Тип -
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- 输入类型 Standard
- Корпус TO-220-3 Full Pack
- Время обратного восстановления (trr) 80 ns
- Ток коллектора импульсный (Icm) 60 A
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 15 A
- Мощность - Максимальная 30 W
- Поставщик Устройство Корпус TO-220SIS
- Td (включено/выключено) @ 25°C 60ns/170ns
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
- Энергия переключения 300µJ (on), 300µJ (off)
- Условия испытания 300V, 15A, 33Ohm, 15V
