- Модель
- GT20N135SRA,S1E
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Корпус TO-247-3
- IGBT Тип -
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 40 A
- 输入类型 Standard
- Td (включено/выключено) @ 25°C -
- Рабочая температура 175°C (TJ)
- Поставщик Устройство Корпус TO-247
- Ток коллектора импульсный (Icm) 80 A
- Мощность - Максимальная 312 W
- Заряд затвора 185 nC
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1350 V
- Энергия переключения -, 700µJ (off)
- Условия испытания 300V, 40A, 39Ohm, 15V
