- Модель
- GT30J121(Q)
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- IGBT Тип -
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- 输入类型 Standard
- Корпус TO-3P-3, SC-65-3
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 30 A
- Ток коллектора импульсный (Icm) 60 A
- Мощность - Максимальная 170 W
- Поставщик Устройство Корпус TO-3P(N)
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
- Энергия переключения 1mJ (on), 800µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 90ns/300ns
- Условия испытания 300V, 30A, 24Ohm, 15V
