- Модель
- GT30J65MRB,S1E
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Время обратного восстановления (trr) 200 ns
- IGBT Тип -
- 输入类型 Standard
- Мощность - Максимальная 200 W
- Корпус TO-3P-3, SC-65-3
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 60 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
- Рабочая температура 175°C (TJ)
- Заряд затвора 70 nC
- Поставщик Устройство Корпус TO-3P(N)
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Энергия переключения 1.4mJ (on), 220µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 75ns/400ns
- Условия испытания 400V, 15A, 56Ohm, 15V
