- Модель
- GT30N135SRA,S1E
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Корпус TO-247-3
- IGBT Тип -
- 输入类型 Standard
- Td (включено/выключено) @ 25°C -
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 60 A
- Ток коллектора импульсный (Icm) 120 A
- Рабочая температура 175°C (TJ)
- Поставщик Устройство Корпус TO-247
- Заряд затвора 270 nC
- Мощность - Максимальная 348 W
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1350 V
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 60A
- Энергия переключения -, 1.3mJ (off)
- Условия испытания 300V, 60A, 39Ohm, 15V
