- Модель
- GT50J121(Q)
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- IGBT Тип -
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- 输入类型 Standard
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
- Ток коллектора импульсный (Icm) 100 A
- Корпус TO-3PL
- Мощность - Максимальная 240 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
- Поставщик Устройство Корпус TO-3P(LH)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 90ns/300ns
- Энергия переключения 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
- Условия испытания 300V, 50A, 13Ohm, 15V
