- Модель
- GT50JR22(STA1,E,S)
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- IGBT Тип -
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- 输入类型 Standard
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
- Условия испытания -
- Корпус TO-3P-3, SC-65-3
- Энергия переключения -
- Td (включено/выключено) @ 25°C -
- Ток коллектора импульсный (Icm) 100 A
- Рабочая температура 175°C (TJ)
- Мощность - Максимальная 230 W
- Поставщик Устройство Корпус TO-3P(N)
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
