- Модель
- GT50N322A
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- IGBT Тип -
- 输入类型 Standard
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
- Условия испытания -
- Корпус TO-3P-3, SC-65-3
- Энергия переключения -
- Td (включено/выключено) @ 25°C -
- Ток коллектора импульсный (Icm) 120 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1000 V
- Мощность - Максимальная 156 W
- Поставщик Устройство Корпус TO-3P(N)
- Время обратного восстановления (trr) 800 ns
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
