- Модель
- GT60N321(Q)
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- IGBT Тип -
- 输入类型 Standard
- Условия испытания -
- Время обратного восстановления (trr) 2.5 µs
- Энергия переключения -
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 60 A
- Ток коллектора импульсный (Icm) 120 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1000 V
- Мощность - Максимальная 170 W
- Корпус TO-3PL
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
- Td (включено/выключено) @ 25°C 330ns/700ns
- Поставщик Устройство Корпус TO-3P(LH)
