- Модель
- GT8G133(TE12L,Q)
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tape & Reel (TR)
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Мощность - Максимальная 600 mW
- IGBT Тип -
- 输入类型 Standard
- Условия испытания -
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 400 V
- Энергия переключения -
- Корпус 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Поставщик Устройство Корпус 8-TSSOP
- Ток коллектора импульсный (Icm) 150 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A
- Td (включено/выключено) @ 25°C 1.7µs/2µs
