Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

GWA75H65DRFB2AG

IGBT

GWA75H65DRFB2AG
Модель
GWA75H65DRFB2AG
Производитель
STMicroelectronics
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Bulk
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Класс Automotive
  • Квалификация AEC-Q101
  • Корпус TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 240 A
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Поставщик Устройство Корпус TO-247 Long Leads
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 123 A
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
  • Мощность - Максимальная 395 W
  • Условия испытания 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
  • Энергия переключения 12.9mJ (on), 900µJ (off)
  • Заряд затвора 253 nC
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 28ns/103ns
  • Время обратного восстановления (trr) 710 ns

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat