HGT1S12N60B3DS

Технические характеристики

• Статус детали Active
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• IGBT Тип -
• Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
• 输入类型 Standard
• Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A
• Ток коллектора импульсный (Icm) 110 A
• Ток коллектора (Ic) (макс.) 27 A
• Заряд затвора 78 nC
• Мощность - Максимальная 104 W
• Td (включено/выключено) @ 25°C 26ns/150ns
• Условия испытания 480V, 12A, 25Ohm, 15V
• Поставщик Устройство Корпус TO-263AB
• Энергия переключения 304µJ (on), 250µJ (off)