HGTD3N60B3S9A

Технические характеристики

• Статус детали Active
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• IGBT Тип -
• Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
• 输入类型 Standard
• Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
• Ток коллектора (Ic) (макс.) 7 A
• Время обратного восстановления (trr) 16 ns
• Поставщик Устройство Корпус TO-252 (DPAK)
• Ток коллектора импульсный (Icm) 20 A
• Заряд затвора 21 nC
• Мощность - Максимальная 33.3 W
• Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3.5A
• Энергия переключения 66µJ (on), 88µJ (off)
• Td (включено/выключено) @ 25°C 18ns/105ns
• Условия испытания 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V