- Модель
- IGB03N120S7ATMA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Класс -
- Квалификация -
- IGBT Тип -
- 输入类型 Standard
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 9 A
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO263-3-2
- Заряд затвора 24 nC
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
- Мощность - Максимальная 37 W
- Ток коллектора импульсный (Icm) 9 A
- Энергия переключения 210µJ (on), 160µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 19ns/89ns
- Условия испытания 600V, 3A, 60Ohm, 15V
