- Модель
- IGD08N120S7ATMA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Класс -
- Квалификация -
- 输入类型 Standard
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Заряд затвора 55 nC
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 24 A
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO252-3
- Ток коллектора импульсный (Icm) 24 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Мощность - Максимальная 106 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 8A
- Условия испытания 600V, 8A, 20Ohm, 15V
- Энергия переключения 460µJ (on), 410µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 15ns/149ns
