Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

IGD10N65T6ARMA1

IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3

IGD10N65T6ARMA1
Модель
IGD10N65T6ARMA1
Производитель
Infineon Technologies
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Tape & Reel (TR)
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Статус детали Obsolete
  • Тип монтажа Surface Mount
  • 输入类型 Standard
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 23 A
  • Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Заряд затвора 27 nC
  • Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Поставщик Устройство Корпус PG-TO252-3
  • Мощность - Максимальная 75 W
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 42.5 A
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 8.5A
  • Энергия переключения 200µJ (on), 70µJ (off)
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 30ns/106ns
  • Условия испытания 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat