Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

IKD15N60RBTMA1

IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3

IKD15N60RBTMA1
Модель
IKD15N60RBTMA1
Производитель
Infineon Technologies
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Bulk
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
  • 输入类型 Standard
  • Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Мощность - Максимальная 250 W
  • Заряд затвора 90 nC
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 30 A
  • Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Время обратного восстановления (trr) 110 ns
  • Поставщик Устройство Корпус PG-TO252-3-11
  • IGBT Тип Trench
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 45 A
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
  • Условия испытания 400V, 15A, 15Ohm, 15V
  • Энергия переключения 900µJ
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 16ns/183ns

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat