Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

MIP35R12E1ATN-BP

IGBT MODULES

MIP35R12E1ATN-BP
Модель
MIP35R12E1ATN-BP
Производитель
MCC (Micro Commercial Components)
Категории
Модули IGBT
Инкапсуляция
Tape & Reel (TR)
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Поставщик Устройство Корпус -
  • Корпус Module
  • IGBT Тип -
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
  • Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
  • Конфигурация Three Phase Inverter
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC Термистор Yes
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 35 A
  • Мощность - Максимальная 227 W
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 35A
  • Входная емкость (Cies) при Vce 2250 pF @ 25 V

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat