- Модель
- MSCGLQ50A120CTBL1NG
- Производитель
- Microchip Technology
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Корпус Module
- IGBT Тип -
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- NTC Термистор Yes
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 110 A
- Ток отсечки коллектора (макс.) 25 µA
- Мощность - Максимальная 375 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
- Входная емкость (Cies) при Vce 2.77 nF @ 25 V
