Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

MSCGLQ50X065CTYZBNMG

PM-IGBT-SBD-6HPD

MSCGLQ50X065CTYZBNMG
Модель
MSCGLQ50X065CTYZBNMG
Производитель
Microchip Technology
Категории
Модули IGBT
Инкапсуляция
Bulk
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Поставщик Устройство Корпус -
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Корпус Module
  • IGBT Тип -
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 70 A
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
  • Конфигурация Three Phase Inverter with Brake
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC Термистор Yes
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 50 µA
  • Мощность - Максимальная 210 W
  • Входная емкость (Cies) при Vce 3100 pF @ 25 V

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat