Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

MSCSM120XM31RTBL3NG

PM-MOSFET-SIC-BL3

MSCSM120XM31RTBL3NG
Модель
MSCSM120XM31RTBL3NG
Производитель
Microchip Technology
Категории
Модули IGBT
Инкапсуляция
Tube
RoHS
Соответствует

Технические характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Поставщик Устройство Корпус -
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Корпус Module
  • IGBT Тип -
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic -
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC Термистор Yes
  • Мощность - Максимальная 310 W
  • Конфигурация Three Phase
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 79 A
  • Входная емкость (Cies) при Vce 3020 pF @ 1 kV

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat