- Модель
- NXH160T120L2Q1SG
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Last Time Buy
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток отсечки коллектора (макс.) 800 µA
- Мощность - Максимальная 280 W
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 140 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 160A
- Входная емкость (Cies) при Vce 38164 pF @ 25 V
- Поставщик Устройство Корпус 30-PIM (71x37.4)
