- Модель
- NXH200B100H4F2SG-R
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1000 V
- NTC Термистор Yes
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 100 A
- Ток отсечки коллектора (макс.) 200 µA
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A
- Конфигурация Three Level Inverter
- Мощность - Максимальная 93 W
- Поставщик Устройство Корпус 36-PIM (56.7x48)
- Входная емкость (Cies) при Vce 6523 pF @ 20 V
