NXH200T120H3Q2F2STG

Технические характеристики

• Статус детали Active
• Тип монтажа Chassis Mount
• Корпус Module
• Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
• Конфигурация Half Bridge
• 输入 Standard
• NTC Термистор No
• Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
• Ток отсечки коллектора (макс.) 500 µA
• IGBT Тип Trench Field Stop
• Ток коллектора (Ic) (макс.) 330 A
• Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
• Поставщик Устройство Корпус 56-PIM/Q2PACK (93x47)
• Мощность - Максимальная 679 W
• Входная емкость (Cies) при Vce 35.615 nF @ 25 V