- Модель
- NXH300B100H4Q2F2SG-R
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- 输入 Standard
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1000 V
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток отсечки коллектора (макс.) 800 µA
- Конфигурация Half Bridge Inverter
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 100A
- Мощность - Максимальная 194 W
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 73 A
- Входная емкость (Cies) при Vce 6.323 nF @ 20 V
- Поставщик Устройство Корпус 53-PIM/Q2PACK (93x47)
