- Модель
- NXH350N100H4Q2F2P1G-R
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
- 输入 Standard
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1000 V
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Конфигурация Three Level Inverter
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 303 A
- Мощность - Максимальная 592 W
- Входная емкость (Cies) при Vce 24.146 nF @ 20 V
- Поставщик Устройство Корпус 42-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 375A
