- Модель
- NXH450B100H4Q2F2SG
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- IGBT Тип -
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1000 V
- Конфигурация 2 Independent
- Ток отсечки коллектора (макс.) 600 µA
- NTC Термистор Yes
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 101 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 150A
- Мощность - Максимальная 234 W
- Входная емкость (Cies) при Vce 9.342 nF @ 20 V
- Поставщик Устройство Корпус 56-PIM (93x47)
