Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

NXH450N65L4Q2F2S1G

120KW 1100V Q2PACK

NXH450N65L4Q2F2S1G
Модель
NXH450N65L4Q2F2S1G
Производитель
onsemi
Категории
Модули IGBT
Инкапсуляция
Tray
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Корпус Module
  • 输入 Standard
  • NTC Термистор No
  • Рабочая температура 175°C (TJ)
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 300 µA
  • IGBT Тип Field Stop
  • Конфигурация Three Level Inverter
  • Мощность - Максимальная 365 W
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 167 A
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 225A
  • Входная емкость (Cies) при Vce 14630 pF @ 20 V
  • Поставщик Устройство Корпус 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat