- Модель
- NXH50M65L4Q1PTG
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- 输入 Standard
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 48 A
- NTC Термистор Yes
- Рабочая температура 175°C (TJ)
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток отсечки коллектора (макс.) 300 µA
- Конфигурация Full Bridge
- Мощность - Максимальная 86 W
- Поставщик Устройство Корпус 53-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.22V @ 15V, 50A
- Входная емкость (Cies) при Vce 3.137 nF @ 20 V
