- Модель
- NXH600B100H4Q2F2S1G
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- 输入 Standard
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1000 V
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток отсечки коллектора (макс.) 20 µA
- Конфигурация Three Level Inverter
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- Поставщик Устройство Корпус 56-PIM (93x47)
- Входная емкость (Cies) при Vce 12687.7 pF @ 20 V
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 173 A
- Мощность - Максимальная 422 W
