Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

NXH600N105H7F5S1HG

IGBT MODULE, I-TYPE NPC 1050 V,

NXH600N105H7F5S1HG
Модель
NXH600N105H7F5S1HG
Производитель
onsemi
Категории
Модули IGBT
Инкапсуляция
Tray
RoHS
Соответствует

Технические характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • 输入 -
  • Корпус Module
  • Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 500 µA
  • NTC Термистор Yes
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Конфигурация Three Level Inverter
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 600A
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1050 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 429 A
  • Входная емкость (Cies) при Vce 48597 pF @ 20 V
  • Мощность - Максимальная 1080 W
  • Поставщик Устройство Корпус 57-PIM (112x62)

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat