- Модель
- NXH800H120L7QDSG
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Ток отсечки коллектора (макс.) 100 µA
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 800 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 800A
- Входная емкость (Cies) при Vce 94300 pF @ 25 V
- Поставщик Устройство Корпус 11-PIM (152x62.15)
