- Модель
- NXH80T120L2Q0P2G
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- NTC Термистор Yes
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 67 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток отсечки коллектора (макс.) 300 µA
- Конфигурация Three Level Inverter
- Поставщик Устройство Корпус 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
- Мощность - Максимальная 158 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 80A
- Входная емкость (Cies) при Vce 19.4 nF @ 20 V
