Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

RGE80TS65DGC13

5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V

RGE80TS65DGC13
Модель
RGE80TS65DGC13
Производитель
ROHM Semiconductor
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Tape & Reel (TR)
RoHS
Соответствует

Технические характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Корпус TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • Мощность - Максимальная 200 W
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 120 A
  • Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Заряд затвора 85 nC
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 63 A
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Условия испытания 400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 40A
  • Поставщик Устройство Корпус TO-247GE
  • Энергия переключения 1.09mJ (on), 780µJ (off)
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 49ns/131ns
  • Время обратного восстановления (trr) 183 ns

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat