- Модель
- RGTH50TS65DGC13
- Производитель
- ROHM Semiconductor
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Корпус TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
- Энергия переключения -
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Ток коллектора импульсный (Icm) 100 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Время обратного восстановления (trr) 58 ns
- Заряд затвора 49 nC
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Мощность - Максимальная 174 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
- Td (включено/выключено) @ 25°C 27ns/94ns
- Условия испытания 400V, 25A, 10Ohm, 15V
- Поставщик Устройство Корпус TO-247G