Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

RGTVX2TS65DGC13

IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE

RGTVX2TS65DGC13
Модель
RGTVX2TS65DGC13
Производитель
ROHM Semiconductor
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Tube
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Корпус TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 240 A
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Время обратного восстановления (trr) 111 ns
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 60A
  • Условия испытания 400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • Заряд затвора 123 nC
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 111 A
  • Мощность - Максимальная 319 W
  • Энергия переключения 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 49ns/150ns
  • Поставщик Устройство Корпус TO-247GE

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat