- Модель
- RGW00TS65GC13
- Производитель
- ROHM Semiconductor
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Ток коллектора импульсный (Icm) 200 A
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 96 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
- Мощность - Максимальная 254 W
- Заряд затвора 141 nC
- Условия испытания 400V, 50A, 10Ohm, 15V
- Энергия переключения 1.18mJ (on), 960µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 52ns/180ns
- Поставщик Устройство Корпус TO-247GE
