Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

RGW60NL65HRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 67A TO-263L

RGW60NL65HRBTL
Модель
RGW60NL65HRBTL
Производитель
ROHM Semiconductor
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Cut Tape (CT)
RoHS
Соответствует

Технические характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Класс Automotive
  • Квалификация AEC-Q101
  • 输入类型 Standard
  • Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 120 A
  • Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 67 A
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Мощность - Максимальная 187 W
  • Условия испытания 400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • Заряд затвора 84 nC
  • Поставщик Устройство Корпус TO-263L
  • Энергия переключения 180µJ (on), 250µJ (off)
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 34ns/122ns

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat