- Модель
- RGW80TS65GC13
- Производитель
- ROHM Semiconductor
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Ток коллектора импульсный (Icm) 160 A
- Заряд затвора 110 nC
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 78 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Условия испытания 400V, 40A, 10Ohm, 15V
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
- Мощность - Максимальная 214 W
- Энергия переключения 760µJ (on), 720µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 44ns/143ns
- Поставщик Устройство Корпус TO-247GE
