Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

RGWX5TS65DGC13

IGBT TRENCH FS 650V 132A TO247GE

RGWX5TS65DGC13
Модель
RGWX5TS65DGC13
Производитель
ROHM Semiconductor
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Bulk
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Корпус TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 300 A
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 75A
  • Мощность - Максимальная 348 W
  • Условия испытания 400V, 75A, 10Ohm, 15V
  • Время обратного восстановления (trr) 101 ns
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 132 A
  • Заряд затвора 213 nC
  • Поставщик Устройство Корпус TO-247GE
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 64ns/229ns
  • Энергия переключения 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat