- Модель
- RGWX5TS65DGC13
- Производитель
- ROHM Semiconductor
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Ток коллектора импульсный (Icm) 300 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 75A
- Мощность - Максимальная 348 W
- Условия испытания 400V, 75A, 10Ohm, 15V
- Время обратного восстановления (trr) 101 ns
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 132 A
- Заряд затвора 213 nC
- Поставщик Устройство Корпус TO-247GE
- Td (включено/выключено) @ 25°C 64ns/229ns
- Энергия переключения 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)