Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

RJH1CV7DPQ-E0#T2

IGBT TRENCH 1200V 70A TO-247

RJH1CV7DPQ-E0#T2
Модель
RJH1CV7DPQ-E0#T2
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Bulk
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Статус детали Obsolete
  • Тип монтажа Through Hole
  • Время обратного восстановления (trr) 200 ns
  • Корпус TO-247-3
  • Рабочая температура 150°C (TJ)
  • 输入类型 Standard
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 70 A
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
  • Поставщик Устройство Корпус TO-247
  • Мощность - Максимальная 320 W
  • IGBT Тип Trench
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 35A
  • Энергия переключения 3.2mJ (on), 2.5mJ (off)
  • Заряд затвора 166 nC
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 53ns/185ns
  • Условия испытания 600V, 35A, 5Ohm, 15V

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat