- Модель
- RJP65T43DPM-00#T1
- Производитель
- Renesas Electronics Corporation
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Discontinued at
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 40 A
- 输入类型 Standard
- Корпус TO-220-3 Full Pack
- Рабочая температура 175°C (TJ)
- Заряд затвора 70 nC
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- IGBT Тип Trench
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
- Условия испытания 400V, 20A, 10Ohm, 15V
- Поставщик Устройство Корпус TO-3PFM
- Мощность - Максимальная 68.8 W
- Энергия переключения 170µJ (on), 110µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 30ns/107ns
