- Модель
- SNXH150B120H3Q2F2PG-N
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- 输入 Standard
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 80 A
- NTC Термистор Yes
- Ток отсечки коллектора (макс.) 400 µA
- Рабочая температура 175°C (TJ)
- Конфигурация 3 Independent
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 80A
- Мощность - Максимальная 279 W
- Входная емкость (Cies) при Vce 19137 pF @ 20 V
- Поставщик Устройство Корпус 35-PIM (93x47)
