Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

STGB20H65DFB2

IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3

STGB20H65DFB2
Модель
STGB20H65DFB2
Производитель
STMicroelectronics
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Cut Tape (CT)
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Статус детали Last Time Buy
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Корпус TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 40 A
  • 输入类型 Standard
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 60 A
  • Поставщик Устройство Корпус D2PAK-3
  • Заряд затвора 56 nC
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Условия испытания 400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Мощность - Максимальная 147 W
  • Время обратного восстановления (trr) 215 ns
  • Энергия переключения 265µJ (on), 214µJ (off)
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 16ns/78.8ns

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat