- Модель
- STGD5H60DF
- Производитель
- STMicroelectronics
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- 输入类型 Standard
- Поставщик Устройство Корпус DPAK
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Td (включено/выключено) @ 25°C 30ns/140ns
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 10 A
- Мощность - Максимальная 83 W
- Ток коллектора импульсный (Icm) 20 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Заряд затвора 43 nC
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 5A
- Энергия переключения 56µJ (on), 78.5µJ (off)
- Условия испытания 400V, 5A, 47Ohm, 15V
- Время обратного восстановления (trr) 134.5 ns