Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

STGD6M65DF2

IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK

STGD6M65DF2
Модель
STGD6M65DF2
Производитель
STMicroelectronics
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Cut Tape (CT)
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 输入类型 Standard
  • Поставщик Устройство Корпус DPAK
  • Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Время обратного восстановления (trr) 140 ns
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 24 A
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 12 A
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
  • Мощность - Максимальная 88 W
  • Энергия переключения 36µJ (on), 200µJ (off)
  • Заряд затвора 21.2 nC
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 15ns/90ns
  • Условия испытания 400V, 6A, 22Ohm, 15V

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat