Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

STGP4M65DF2

IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-220

STGP4M65DF2
Модель
STGP4M65DF2
Производитель
STMicroelectronics
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Tube
RoHS
Соответствует
Техническая спецификация
Скачать

Технические характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Корпус TO-220-3
  • Поставщик Устройство Корпус TO-220
  • 输入类型 Standard
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 8 A
  • Мощность - Максимальная 68 W
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 16 A
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
  • Условия испытания 400V, 4A, 47Ohm, 15V
  • Энергия переключения 40µJ (on), 136µJ (off)
  • Заряд затвора 15.2 nC
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 12ns/86ns
  • Время обратного восстановления (trr) 133 ns

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat